发明名称 半导体装置的模块结构
摘要 本发明的半导体模块,由具有动作部(1)和护圈部(12)的半导体元件(13),和设置在该半导体元件的上面以及下面,并对该半导体元件进行冷却的上下的散热部件(15、14)构成。钝化膜(20),覆盖护圈部,但不覆盖动作部。上部散热部(15),由与所述钝化膜非接触地连接在动作部上的金属平板构成。上部散热部和下部散热部(14)可热传导地被连接。
申请公布号 CN100533764C 申请公布日期 2009.08.26
申请号 CN200480040580.1 申请日期 2004.11.30
申请人 本田技研工业株式会社 发明人 北村谦二;谷高真一;远藤陆男;富永雄二郎;田中俊秀;佐藤浩一郎
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李贵亮
主权项 1、一种半导体装置的模块结构,具备:第1导电型的高电阻层;第2导电型的基极层,其形成在所述第1导电型的高电阻层的上部;第1导电型的发射极区域,其形成在所述第2导电型的基极层的上部;发射极电极,其与所述发射极区域连接;栅极电极,其与所述第2导电型的基极层相邻且被绝缘;护圈部,形成在包括所述发射极区域的单元区域的周围;第1导电型的缓冲层,其被形成在所述第1导电型的高电阻层的下面;第2导电型的集电极层,其被形成在所述第1导电型的缓冲层的下面;集电极电极,其与所述集电极层连接;以及金属平板的上部散热部,其与所述发射极电极连接,其中,所述护圈部包括:第2导电型的半导体层,其被布置在第1导电型的高电阻层的上部和位于所述发射极区域的周围;绝缘层,其被形成在第2导电型的半导体层的上部;以及钝化层,其覆盖所述绝缘层,未覆盖所述单元区域,所述钝化层被布置成与所述上部散热部呈非接触关系。
地址 日本东京都