发明名称 |
半导体装置的模块结构 |
摘要 |
本发明的半导体模块,由具有动作部(1)和护圈部(12)的半导体元件(13),和设置在该半导体元件的上面以及下面,并对该半导体元件进行冷却的上下的散热部件(15、14)构成。钝化膜(20),覆盖护圈部,但不覆盖动作部。上部散热部(15),由与所述钝化膜非接触地连接在动作部上的金属平板构成。上部散热部和下部散热部(14)可热传导地被连接。 |
申请公布号 |
CN100533764C |
申请公布日期 |
2009.08.26 |
申请号 |
CN200480040580.1 |
申请日期 |
2004.11.30 |
申请人 |
本田技研工业株式会社 |
发明人 |
北村谦二;谷高真一;远藤陆男;富永雄二郎;田中俊秀;佐藤浩一郎 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李贵亮 |
主权项 |
1、一种半导体装置的模块结构,具备:第1导电型的高电阻层;第2导电型的基极层,其形成在所述第1导电型的高电阻层的上部;第1导电型的发射极区域,其形成在所述第2导电型的基极层的上部;发射极电极,其与所述发射极区域连接;栅极电极,其与所述第2导电型的基极层相邻且被绝缘;护圈部,形成在包括所述发射极区域的单元区域的周围;第1导电型的缓冲层,其被形成在所述第1导电型的高电阻层的下面;第2导电型的集电极层,其被形成在所述第1导电型的缓冲层的下面;集电极电极,其与所述集电极层连接;以及金属平板的上部散热部,其与所述发射极电极连接,其中,所述护圈部包括:第2导电型的半导体层,其被布置在第1导电型的高电阻层的上部和位于所述发射极区域的周围;绝缘层,其被形成在第2导电型的半导体层的上部;以及钝化层,其覆盖所述绝缘层,未覆盖所述单元区域,所述钝化层被布置成与所述上部散热部呈非接触关系。 |
地址 |
日本东京都 |