| 发明名称 | 锆钛酸铅－铁酸钴厚膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电子材料与器件领域，公开了一种锆钛酸铅—铁酸钴厚膜的制备方法，该方法的步骤包括：将Pb(Zr<sub>0.52</sub>Ti<sub>0.48</sub>)O<sub>3</sub>粉体和CoFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>粉体分散在溶剂中制成浓度均匀的悬浮液，然后在恒电场条件下经过电泳沉积制备而成。本发明制得的锆钛酸铅—铁酸钴厚膜具有良好的电性能和磁性能，可应用于制备厚膜传感器，位移器，具有设备简单，成本低、成膜快、组分易于调整等特点，可大规模制备膜材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101514475A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200910046944.1 | 申请日期 | 2009.03.03 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 翟继卫;莫伟锋;尚飞 |
| 分类号 | C25D13/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I | 主分类号 | C25D13/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 许亦琳 |
| 主权项 | 1、一种锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法，包括如下步骤：1)先将锆钛酸铅粉体、铁酸钴粉体混合并分散于分散介质中制成悬浮液；2)将电极放置在悬浮液中，保持两极板平行；3)在恒电场条件下，电泳沉积获得厚膜；4)将电泳完毕后所得厚膜进行等静压处理；5)将经过等静压处理的厚膜在高温环境下热处理，制得锆钛酸铅-铁酸钴厚膜。 | ||
| 地址 | 200092上海市杨浦区四平路1239号 | ||