| 发明名称 | 硅纳米晶体光电池及其在薄膜晶体管面板内的应用 | ||
| 摘要 | 本发明的领域关于一光电池。在一个实施例内，该光电池包含一第一导电层、一形成于第一导电层上的N型掺杂半导体层、一形成于该N型掺杂半导体层上的第一硅层、一形成于一第一硅层上的纳米结晶硅(nc-Si)层、一形成于该纳米结晶硅层上的第二硅层、一形成于第二硅层上的P型掺杂半导体层以及一形成于该P型掺杂半导体层上的第二导电层。第一硅层与第二硅层两者其中之一者是由非结晶硅所形成，另一者是由多晶硅所形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101515608A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200910129119.8 | 申请日期 | 2009.03.25 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 卓恩宗;赵志伟;彭佳添;林昆志 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁 挥;祁建国 |
| 主权项 | 1.一种光电池，其特征在于，包含：(a)一第一导电层；(b)一N型掺杂半导体层形成于该第一导电层上；(c)一第一硅层形成于该N型掺杂半导体层上；(d)一纳米结晶硅层形成于该第一硅层上；(e)一第二硅层形成于该纳米结晶硅层上；(f)一P型掺杂半导体层形成于该第二硅层上；以及(g)一第二导电层形成于该P型掺杂半导体层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||