| 发明名称 | 热敏电阻及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种热敏电阻，包括半导体基体和两电极结构。其中，半导体基体的材料是经过重金属掺质掺杂补偿的掺杂半导体，而具有负温度系数的特性。两电极结构分别配置于半导体基体的两对向端。 | ||
| 申请公布号 | CN101515496A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200810033694.3 | 申请日期 | 2008.02.19 |
| 申请人 | 付佳旭;胡方;刘蓓珍 | 发明人 | 付佳旭;胡方;刘蓓珍 |
| 分类号 | H01C7/04(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈 亮 |
| 主权项 | 1.一种热敏电阻，包括：一半导体基体，其中该半导体基体的材料是经过一重金属掺质掺杂补偿的掺杂半导体，而具有负温度系数的特性；以及两电极结构，分别配置于该半导体基体的两对向端。 | ||
| 地址 | 150000黑龙江省哈尔滨市南岗区学科街20号科大12号楼2单元201号 | ||