发明名称 P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC ANTIFUSE AND METHODS OF FORMING THE SAME
摘要
申请公布号 EP2092562(A2) 申请公布日期 2009.08.26
申请号 EP20070840040 申请日期 2007.11.13
申请人 SANDISK 3D LLC 发明人 HERNER, S. BRAD
分类号 H01L27/102 主分类号 H01L27/102
代理机构 代理人
主权项
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