形成异质结双极晶体管的方法及相关结构

摘要

形成异质结双极晶体管的方法及相关结构。本发明公开了一种使用多孔硅形成隔离区的方法及相关结构。本发明的一个实施例可以包括形成收集极区；在该收集极区内形成多孔硅区；在收集极区上形成晶体硅本征基极层，该本征基极层在多孔硅区的一部分上延伸，从而形成非本征基极；和在多孔硅区内形成隔离区。该方法适用于形成HBT，其具有一个结构，该结构包括延伸超出收集极区并在隔离区上延伸的晶体硅本征基极，从而形成低电阻的连续本征-非本征基极传导路径。该HBT具有更小的收集极-本征基极界面，和更大的本征基极-非本征基极界面，因此具有更高的性能。

主权项

1. 一种使用多孔硅形成隔离区的结构，包括：晶体硅本征基极，其延伸超出收集极区并在隔离区上方延伸。