发明名称 |
旋涂材料层的平坦化方法及光致抗蚀剂层的制造方法 |
摘要 |
一种旋涂材料层的平坦化方法,此方法提供基底,此基底中已形成有多个开口。然后,于基底上形成旋涂材料层,此旋涂材料层填满开口。接着,进行等离子体蚀刻工艺,移除部分旋涂材料层直到暴露出基底表面。其中在此等离子体蚀刻工艺中,冷却基底,使基底表面与开口内的旋涂材料层维持一蚀刻选择比,以得到一平坦化的旋涂材料层。 |
申请公布号 |
CN100533272C |
申请公布日期 |
2009.08.26 |
申请号 |
CN200410033401.3 |
申请日期 |
2004.04.07 |
申请人 |
茂德科技股份有限公司 |
发明人 |
卢俊男;蔡念谕;杨淑卿 |
分类号 |
G03F7/16(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯 宇 |
主权项 |
1、一种旋涂材料层的平坦化方法,至少包括:提供一基底,该基底中已形成有至少一个开口;于该基底上形成一旋涂材料层,该旋涂材料层填满该开口;以及进行一等离子体蚀刻工艺,移除部分该旋涂材料层直到暴露出该基底表面,其中在该等离子体蚀刻工艺中,冷却该基底,使该开口内的旋涂材料层的蚀刻速率小于该基底表面上的旋涂材料层的蚀刻速率,且该基底表面与该开口内的该旋涂材料层维持一蚀刻选择比,以得到一平坦化的旋涂材料层。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园 |