| 发明名称 | GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置 | ||
| 摘要 | 提供即使利用氢化物气相生长法时也可以准确地控制GaN单晶的膜厚的GaN单晶的制造方法、适于特性良好的GaN厚膜生长的GaN薄膜模板衬底以及GaN单晶生长装置。在通过对在规定的温度下加热熔融的Ga(镓)喷HCl(氯化氢)生成GaCl(氯化镓)，使该GaCl(氯化镓)与氢化物气体的NH<sub>3</sub>(氨)气在衬底上反应形成GaN薄膜的氢化物气相生长法进行的GaN单晶的制造方法中，通过喷嘴将上述NH<sub>3</sub>气供给到衬底附近(例如从衬底仅距离衬底直径的0.7～4.0倍的位置)。此外，作为衬底，使用晶格常数与GaN接近的NGO(011)衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101517134A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200780034925.6 | 申请日期 | 2007.09.14 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 森冈理;高草木操;清水孝幸 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 熊玉兰;孙秀武 |
| 主权项 | 1.GaN单晶的制造方法，该方法是通过对在规定的温度下加热熔融的Ga(镓)喷HCl(氯化氢)生成GaCl(氯化镓)，使该GaCl(氯化镓)与NH3(氨)气在衬底上反应形成GaN薄膜的氢化物气相生长法进行的GaN单晶制造方法，其特征在于，通过喷嘴将所述NH3气供给到衬底附近。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||