| 发明名称 | 硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质，能够不损失等离子体氧化处理的优点地形成绝缘耐性优异、能够提高半导体装置的成品率的膜质优异的硅氧化膜。该硅氧化膜的形成方法包括：第一氧化处理工序，其以处理气体中的氧的比例为1％以下、且压力为133Pa以下的第一处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜；和第二氧化处理工序，其接着上述第一氧化处理工序，以处理气体中的氧的比例为20％以上、且压力为400～1333Pa的第二处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化上述被处理体表面，进一步形成硅氧化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101517716A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200780035987.9 | 申请日期 | 2007.09.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 壁义郎;小林岳志;盐泽俊彦;北川淳一 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种硅氧化膜的形成方法，其特征在于，包括：第一氧化处理工序，其在等离子体处理装置的处理室内，以处理气体中的氧的比例为1％以下、且压力为0.133～133Pa的第一处理条件形成该处理气体的等离子体，利用该等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜；和第二氧化处理工序，其接着所述第一氧化处理工序，以处理气体中的氧的比例为20％以上、且压力为400～1333Pa的第二处理条件形成该处理气体的等离子体，利用该等离子体，氧化所述被处理体表面，进一步形成硅氧化膜并且改善所述硅氧化膜的膜质。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||