| 发明名称 | 一种多晶栅的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶栅的生长方法，它包括以下步骤：步骤1：在密封反应室真空度为0.08～1托，温度为520～570摄氏度下，控制硅化合物的反应物流速在100～700标况毫升每分下，生长非晶态硅栅；步骤2：充入退火惰性气体，在退火温度为700～850摄氏度和退火时间为10～30分钟的退火条件下对步骤1中生长出的非晶态硅栅进行退火，将非晶态硅栅转化成多晶硅栅。本发明通过先形成非晶态的硅栅然后通过退火形成一定微结构的多晶栅，该多晶栅表面相对传统方法直接生长的多晶栅表面平整度有显著提高，从而可有效提高小特征尺寸下多晶栅良率和制作的半导体器件的平整度和均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101515544A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200810033813.5 | 申请日期 | 2008.02.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何有丰;朴松源;白杰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1、一种多晶栅的生长方法，它是在具有一定真空度的密封反应室内，在一定温度条件下，利用硅化合物的反应物来沉积多晶栅，其特征在于，它包括以下步骤：步骤1：在所述密封反应室真空度为0.08～1托，温度为520～570摄氏度下，控制所述硅化合物的反应物流速在100～700标况毫升每分下，生长非晶态硅栅；步骤2：充入退火惰性气体，在退火温度为700～850摄氏度和退火时间为10～30分钟的退火条件下对步骤1中生长出的非晶态硅栅进行退火，将非晶态硅栅转化成多晶硅栅。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||