| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置，包括：存储单元阵列；由连续图案形成的防蚀刻设备，该连续图案在存储单元阵列的外围部分与单元栅电极交叉。其中所述防蚀刻设备是由连续图案在存储单元阵列最外边缘的单元接触垫片的外部形成的虚拟单元接触垫片。虚拟单元接触垫片阻止液体和气体穿过空隙而入侵，并且防止单元接触垫片受腐蚀和具有高电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN100533741C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200610009205.1 | 申请日期 | 2006.02.15 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 高石芳宏 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 孙纪泉 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储装置，包括：存储单元阵列；由连续图案形成的防蚀刻设备，该连续图案在存储单元阵列的外围部分与单元栅电极交叉，其中：所述防蚀刻设备是由连续图案在存储单元阵列最外边缘的单元接触垫片的外部形成的虚拟单元接触垫片。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||