具有相容电介质层的有源区域

摘要

描述一种用于形成具有有源区域和相容的电介质层的半导体结构的方法。在一个实施例中，半导体结构具有由第一半导体材料的氧化物组成的电介质层，其中在电介质层与第一半导体材料之间形成有第二(且成分不同的)半导体材料。在另一个实施例中，用第三半导体材料取代第二半导体材料的一部分，以便赋予第二半导体材料的晶格结构单轴应变。

主权项

1.一种半导体结构，包括：由第一半导体材料组成的衬底；位于所述衬底上方的有源区域，其中所述有源区域由第二半导体材料组成，并且所述第二半导体材料的成分不同于所述第一半导体材料的成分；以及直接位于所述有源区域上的电介质层，其中所述电介质层由直接位于所述有源区域上的所述第一半导体材料的氧化物层组成。