| 发明名称 | 用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具体方法为采用反应磁控溅射法。该SiCN薄膜经600℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>阻挡层相比，本发明的SiCN阻挡层薄膜材料，具有高效阻挡性能，与Si基片具有良好黏附性；同时因其较低的介电常数可明显减小RC延迟，有利于提高器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101515580A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200910043000.9 | 申请日期 | 2009.03.31 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 周继承;石之杰;郑旭强;刘福;黄迪辉 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 | 代理人 | 颜 勇 |
| 主权项 | 1、一种用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜，其特征在于：由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。 | ||
| 地址 | 410083湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号 | ||