发明名称 |
用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略 |
摘要 |
提供了如下的方法,其通过提供具有多个功能层和多个松脱层的多层结构,并通过利用分离一个或多个松脱层而将功能层从多层结构分离以产生多个可转移结构,来制造器件或器件构件。所述可转移结构被印刷到器件衬底或由器件衬底支撑的器件构件上。所述方法和系统提供了用于高质量且价格低廉地制造光电器件、可转移半导体结构、(光)电器件和器件构件的方式。 |
申请公布号 |
CN101517700A |
申请公布日期 |
2009.08.26 |
申请号 |
CN200780034881.7 |
申请日期 |
2007.09.20 |
申请人 |
伊利诺伊大学评议会 |
发明人 |
J·A·罗杰斯;R·G·诺奥;M·梅尔特;高興助;J·尹;E·梅纳德;A·J·巴卡 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京北翔知识产权代理有限公司 |
代理人 |
谢 静;杨 勇 |
主权项 |
1.一种用于制造器件或器件构件的方法,所述方法包括以下步骤:提供一多层结构,其包括多个功能层和多个松脱层;其中所述松脱层的至少一部分位于所述多层结构中的功能层之间;通过将一个或多个所述松脱层或其一部分与一个或多个所述功能层分离,将所述功能层的至少一部分从所述多层结构松脱,从而产生多个可转移结构;以及将一个或多个所述可转移结构印刷到器件衬底或由器件衬底支撑的器件构件上,从而制造所述器件或所述器件构件。 |
地址 |
美国伊利诺伊州 |