具有由衬底沟槽中的间隔物形成的浮动栅极的非易失性存储器单元的阵列

摘要

为了减小由给定数目的快闪存储器单元的阵列占用的集成电路面积，沿着衬底沟槽(60、61)的侧壁定位浮动栅极电荷存储元件(103、105、111、113)，其优选由经掺杂多晶硅间隔物形成。作为一实例，双浮动栅极存储器单元的阵列包含具有此结构的单元。存储器单元的NAND阵列是此单元结构的应用的另一实例。所述存储器单元和阵列结构广泛应用于各种特定NOR和NAND存储器单元阵列架构。

主权项

1.一种形成在半导体衬底上的非易失性存储器，其包括：沟槽的矩形阵列，其沿着跨越所述衬底的表面彼此正交的第一和第二方向形成到所述衬底的表面中，所述个别沟槽在所述第一方向上具有包含相对侧壁的横截面形状，所述相对侧壁大体上与所述衬底表面垂直且通过大体上与所述衬底表面平行的底部表面而在其底部处接合，电荷存储元件，其在所述第一方向上沿着个别沟槽的所述相对侧壁形成为间隔物且其间具有空间，但不在所述第一方向上延伸到所述沟槽外部超出所述相对侧壁，至少第一导电控制栅极，其在所述第一方向上以将与所述沟槽中的所述电荷存储元件中的至少一者个别地场耦合的方式定位在所述沟槽内处于所述电荷存储元件之间，所述第一控制栅极连接到在所述第二方向上延伸的第一导电控制线，以及源极区和漏极区，其位于所述衬底内至少处于所述个别沟槽的所述底部处。