| 发明名称 | 场效应型晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种场效应型晶体管，其具有载流子从源区域注入向漏区域移动的半导体层，上述半导体层由含有有机半导体材料和纳米管的复合材料形成。上述纳米管可以是多个纳米管连接形成的纳米管。 | ||
| 申请公布号 | CN100533770C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200480020580.5 | 申请日期 | 2004.07.13 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 七井识成;脇田尚英;竹内孝之 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种场效应型晶体管，其特征在于：具有载流子从源区域注入向漏区域移动的半导体层，所述半导体层由含有有机半导体材料和碳纳米管的复合材料形成，在所述半导体层中，在每个所述碳纳米管的周围覆盖有所述有机半导体材料，所述碳纳米管的混合比率以相对于所述半导体层总体的体积比率计为30～90％。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||