| 发明名称 | 一种用于升压电路的电容结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于升压电路中的电容结构及其形成方法。该电容结构包含基材、位于基材中的U形下电极、与U形下电极嵌合的T形上电极、以及介于U形下电极以及T形上电极间的介电层。本发明使用立体的技术手段来增加上、下极板间的接触面积，以大幅提高升压电路的电容值。 | ||
| 申请公布号 | CN101515601A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200810080772.5 | 申请日期 | 2008.02.18 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 丁裕伟;任兴华;江昱德;李仲仁;吴铁将 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种用于升压电路中的电容结构，包含：基材；下电极，位于该基材中并具有一凹处；上电极，位于该基材上，并与该下电极的该凹处嵌合；以及介电层，介于该下电极以及该上电极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||