| 发明名称 | 磁阻效应元件制造方法和用于制造磁阻效应元件的多腔设备 | ||
| 摘要 | 一种磁阻效应元件制造方法，包括：制备包括磁膜和基板的磁阻效应元件的第一步骤；通过反应离子蚀刻方法蚀刻磁膜的预定区域的第二步骤；以及将已经历第二步骤的磁膜暴露于离子电流密度为4×10<sup>-7</sup>A/cm<sup>2</sup>或更小的等离子体的第三步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101517768A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200780034078.3 | 申请日期 | 2007.09.12 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 池本学;长田智明;横川直明 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1、一种磁阻效应元件制造方法，包含：制备包括磁膜和基板的磁阻效应元件的第一步骤；通过反应离子蚀刻方法蚀刻所述磁膜的预定区域的第二步骤；以及将已经历所述第二步骤的所述磁膜暴露于离子电流密度不大于4×10-7A/cm2的等离子体的第三步骤。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||