| 发明名称 | 一种ZnO基发光二极管的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的ZnO基发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层、n-Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O薄膜层、0＜x＜0.6，ZnO量子阱层、p-Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O薄膜层、0＜x＜0.6，p-ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积有第一电极，其中ZnO量子阱层由z个周期的ZnO/Zn<sub>1-y</sub>Mg<sub>y</sub>O量子阱层构成，0＜y＜0.5，z值为5～10。采用金属有机物化学气相沉积法生长，其中，p-ZnO和p-Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O薄膜层用O<sub>2</sub>/NO混合气体的非等离子体辅助氮掺杂。通过优化NO/O<sub>2</sub>比例可以提高氮掺杂浓度，有利于提高器件性能。ZnO基发光二极管以量子阱作为有源层，利于提高发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN100533790C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200710070016.X | 申请日期 | 2007.07.13 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;曾昱嘉;卢洋藩;徐伟中 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1. ZnO基发光二极管的制备方法，其特征是步骤如下：将衬底(1)表面清洗后放入金属有机物化学气相沉积系统的生长室中，生长室抽真空至10-4Pa，加热衬底至300～600℃，通入有机锌源、氧气，生长压强为50Torr，在衬底上沉积n-ZnO薄膜层(2)；通入有机锌源、有机镁源、氧气，生长压强为50Torr，在n-ZnO薄膜层(2)上沉积n-Zn1-xMgxO薄膜层(3)、0<x<0.6；交替通入有机锌源、氧气以及有机锌源、有机镁源、氧气，生长压强为50Torr，沉积ZnO层和Zn1-yMgyO层，0<y<0.5，以形成5～10个周期的ZnO量子阱层(4)；然后通入有机锌源、有机镁源、氧气、一氧化氮，NO/O2的摩尔比为0.3～0.7，生长压强为30Pa，在ZnO量子阱层(4)上生长p-Zn1-xMgxO薄膜层(5)、0<x<0.6；接着通入有机锌源、氧气、一氧化氮，NO/O2的摩尔比为0.3～0.7，生长压强为20Pa，生长p-ZnO薄膜层(6)；最后采用电子束蒸发法在p-ZnO薄膜层(6)上沉积第二电极(8)，在衬底的另一面沉积第一电极(7)。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||