生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途

摘要

非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900-1100℃温度下进行材料热处理，时间为5-60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900-1100℃温度下时间为10-120分钟；再在900-1100℃温度范围通入H₂和/或N₂作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。

主权项

1、非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，其特征是通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900-1100℃温度下通入载气H2、N2或H2和N2混合气体进行热处理，时间为5-60分钟；再在900-1100℃温度范围通入H2和/或N2作为载气、氨气和三甲基镓作为生长气源；三甲基镓的流量为1-50sccm，时间为10-60分钟，氨气200-700sccm，N与Ga之摩尔比即V/III比为200-3000；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。