发明名称 |
PWM驱动电路 |
摘要 |
一种PWM驱动电路包括:负载驱动功率MOS晶体管(Q5(Q6));由电阻器(R3(R5))或电阻器(R4(R6))和MOS晶体管(Q5(Q6))的电容构成、且根据PWM电压减小电压的斜率(through rate)并将电压提供给MOS晶体管(Q5(Q6))栅极的CR电路;以及栅极电压控制部分(4(5)),当在MOS晶体管(Q5(Q6))的栅极电压的转换期间,检测到MOS晶体管(Q5(Q6))完全从截止切换到导通时,停止CR电路的操作,以将MOS晶体管(Q5(Q6))的栅极电势减小(增加)到预定值。以这种方式,可以减小开关噪声和开关损耗。 |
申请公布号 |
CN100533933C |
申请公布日期 |
2009.08.26 |
申请号 |
CN200580014431.2 |
申请日期 |
2005.03.29 |
申请人 |
罗姆股份有限公司 |
发明人 |
山本精一 |
分类号 |
H02M1/08(2006.01)I;H03K17/06(2006.01)I;H03K17/16(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
1. 一种PWM驱动电路,包括:负载驱动场效应晶体管;斜率控制部分,根据PWM电压向所述负载驱动场效应晶体管的栅极馈入电压,该斜率控制部分减小了所馈入电压的斜率;以及栅极电压控制部分,当在所述负载驱动场效应晶体管的栅极电压的转换期间,检测到所述负载驱动场效应晶体管的输出电压几乎已被反转,并且变为与在所述负载驱动场效应晶体管完全导通时所获得的值近似相等时,停止所述斜率控制部分的操作,将所述负载驱动场效应晶体管的栅极电势上拉或下拉到预定值。 |
地址 |
日本京都府 |