| 发明名称 | 化学机械抛光的方法与研磨液及半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了采用CMP法在一衬底上制备银或银合金膜及膜图案的方法、研磨液的配方以及抛光机制。此方法与研磨液能使银或银合金膜具有高平坦化，低不平整度，高反射率与低缺陷性。 | ||
| 申请公布号 | CN100533674C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200580036187.X | 申请日期 | 2005.10.19 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 杨春晓;俞昌 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/461(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 1. 一种用于化学机械抛光的研磨液，其包含：5.0wt％的聚四氟乙烯颗粒、0.1wt％的聚丙烯酸、0.1wt％的苯并三唑、0.5wt％乙二胺四乙酸和余量为水，pH为4.25。 | ||
| 地址 | 中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 | ||