| 摘要 |
L'invention concerne la photolithographie ultraviolette à 193 nanomètres ou 157 nanomètres.Pour pousser au maximum l'obtention de résolutions élevées, on utilise des optiques à très forte ouverture numérique, mais on ne dispose pas de résines photosensibles d'indice suffisant pour profiter au mieux de cette ouverture numérique élevée. On propose d'utiliser des résines (PR) ordinaires mais en épaisseur tellement faible qu'elles seront exposées localement par des ondes évanescentes en cas de réflexion totale pour les rayons d'incidence très élevée, et ceci malgré la présence d'un liquide d'immersion (LQ) entre l'optique de projection (OL) et la résine photosensible (PR).
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