METHOD FOR THE PRODUCTION OF MONOCRYSTALLINE N-SILICON SOLAR CELLS, AND SOLAR CELL PRODUCED ACCORDING TO SUCH A METHOD

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung monokristalliner n-Silizium-Solarzellen mit rückseitigem, passivierten p+-Emitter (11) und rückseitigen, räumlich getrennten, oberflächennah hochdotierten n + + - Basisbereichen (12) sowie einer interdigitalen Rückseiten-Kontaktfingerstruktur (26a, b), welche jeweils in leitender Verbindung mit den p + -Emitterbereichen und n + + Basisbereichen steht. Erfindungsgemäß wird auf der Rückseite des n-Siliziumwaf ers eine Aluminium-oder aluminiumhaltige Dünnschicht abgeschieden und anschließend eine Strukturierung der Dünnschicht mit Erhalt von Öffnungen im Bereich der späteren Basiskontakte vorgenommen. In einem weiteren Prozessschritt erfolgt dann ein Eindiffundieren des Aluminiums in den n-Siliziumwafer zur Ausbildung einer strukturierten Emitterschicht.