| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (MOS-Transistor) |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10235793(B4) |
申请公布日期 |
2009.08.20 |
| 申请号 |
DE20021035793 |
申请日期 |
2002.08.05 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
JUNG, WOO-CHAN |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/768;H01L21/8234;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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