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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 <p>Disclosed is a semiconductor device equipped with a gate electrode (108). The gate electrode (108) includes a silicide layer formed by silicidizing porous silicon or organic silicon.</p>
申请公布号 WO2009101763(A1) 申请公布日期 2009.08.20
申请号 WO2009JP00231 申请日期 2009.01.22
申请人 PANASONIC CORPORATION;YOSHIDA, YOICHI;TSUZUMITANI, AKIHIKO;KANEGAE, KENSHI 发明人 YOSHIDA, YOICHI;TSUZUMITANI, AKIHIKO;KANEGAE, KENSHI
分类号 H01L21/8238;H01L21/28;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
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