硅(100)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法

摘要

硅(100)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，提供了一种补偿图形的拓扑结构，由此拓扑结构可以产生出多种多样的直角形式凸角补偿图形，对于硅(100)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由两条<110>晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。硅的各向异性腐蚀技术是指在硅的腐蚀过程中，硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率，采用硅各向异性腐蚀技术能够制造许多种微机电系统(MEMS)结构。本发明具有理论原理清晰，具体补偿生成方便、灵活的优点。同时，因为本发明所提供的技术方法具有明确的技术路径，非常适合应用到计算机辅助设计系统中。

主权项

1、一种硅(100)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，其特征是，对于硅(100)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由两条<110>晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。