| 发明名称 | 一种制备铜溅射靶材的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备铜溅射靶材的方法，涉及一种用于半导体及显示器的具有晶粒大小微细化及高度均匀的金属溅射靶材的制备方法。其特征在于其制备过程是将铜原料熔化，在1100～1200℃，保护性气氛下，精炼10～40min后，将熔化的铜液滴落到冷盘上冷却制成铜晶粒，再将铜晶热压成铜溅射靶材。本发明的方法，采用真空熔炼法，对5N及以上高纯铜进行熔炼及精炼，熔炼过程中可采用连续加料方式，保证熔炼过程的连续性，生产效率高，采用急冷法对熔融铜液滴进行冷却，制得细晶粒铜，避免了传统靶材制备过程中靶材晶粒尺寸均匀性难以控制的缺陷，制备的晶粒尺寸均匀，易于控制，能提高效率，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101509125A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200910080471.7 | 申请日期 | 2009.03.19 |
| 申请人 | 金川集团有限公司 | 发明人 | 李永军;武浚;马瑞新;杨艳;艾琳;孙鹏;汪春平;吴中亮;张亚东 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22B15/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国有色金属工业专利中心 | 代理人 | 李迎春 |
| 主权项 | 1. 一种制备铜溅射靶材的方法，其特征在于其制备过程是将铜原料熔化，在1100～1200℃，保护性气氛下，精炼10～40min后，将熔化的铜液滴落到冷盘上冷却制成铜晶粒，再将铜晶热压成铜溅射靶材。 | ||
| 地址 | 737103甘肃省金昌市金川路98号 | ||