密封多孔低k介电材料的方法

摘要

用于密封多孔低k介电膜的方法，通常包括将多孔低k介电膜的表面暴露于紫外(UV)辐射，其强度、时间、波长和环境有效地通过碳化、氧化和/或膜致密，密封该多孔介电表面。该多孔低k介电材料的表面被密封到小于或等于约20纳米的深度，其中该表面在UV暴露之后基本不含孔。

主权项

1.一种用于密封位于基体之上的多孔低k介电材料的方法，包括：将多孔低k介电材料的表面暴露于紫外辐射图形，其时间、强度和波长将该多孔低k材料的表面有效密封到小于或等于20纳米的深度，其中该表面基本不含开口孔，其中将多孔低k介电材料暴露于紫外辐射图形，其时间、强度和波长将该多孔低k材料的表面有效密封到等于平均孔径的深度。