| 发明名称 | PVD靶和处理PVD靶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括具有非溅射区域(如侧壁(14))和沿非溅射区域形成粒子捕集特征的PVD靶。在特别的方面，粒子捕集特征可包括形成贮器的弯曲突起(22)型式，并可在弯曲突起上包括微结构。靶可为靶/背板结构(10)的一部分，或可为单体。本发明还包括沿溅射靶的侧壁或沿靶/背板结构的侧壁形成粒子捕集特征的方法。可通过首先沿侧壁形成突起型式形成这种特征。突起可是弯曲的，并随后暴露于粒子以在弯曲突起上形成微结构。靶具有扩展的区域(20和30)和穴(23)。 | ||
| 申请公布号 | CN100529164C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN03822025.3 | 申请日期 | 2003.07.11 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | 金在衍 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B44C1/22(2006.01)I;B31B1/60(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种处理PVD靶非溅射区域的方法，包括：沿非溅射区域形成突起型式；使突起弯曲；和将突起暴露到加压粒子流以在突起上形成微结构。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||