可缩放电可擦除可编程存储器

摘要

一种非易失性存储器包括一个或多个EEPROM单元对。每个EEPROM单元对包括三个晶体管且存储两个数据位，实际上提供1.5个晶体管EEPROM单元。EEPROM单元对包括第一非易失性存储器晶体管、第二非易失性存储器晶体管以及源极存取晶体管。该源极存取晶体管包括：与第一非易失性存储器晶体管相连续的第一源极区；与第二非易失性存储器晶体管相连续的第二源极区；以及穿过第一阱区向下延伸至与第二阱区接触的漏极区。第一、第二、和第三半导体区和第二阱区具有第一导电类型，而第一阱区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。

主权项

1. 一种非易失性存储器阵列，包括：一个或多个电可擦除可编程存储器(EEPROM)单元对，各个所述对被配置成存储两个数据位，且包括：第一非易失性存储器晶体管；第二非易失性存储器晶体管；以及位于第一阱区并耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的源极、所述第二非易失性存储器晶体管的源极、以及第二阱区的源极存取晶体管，其中所述第一阱区位于所述第二阱区中。