发明名称 一种改良的非接触式位移测量方法及使用该方法的传感器
摘要 本发明涉及一种改良的非接触式位移测量方法,其在工作过程中抗干扰性强,且其测量精度高,为此,本发明还提供了使用该方法的传感器。其包括基板、外围电路,其特征在于:所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列,所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道,所述轨道上安装有激光光源,所述基板连接外围电路,所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路。所述巨磁电阻元件内通过脉冲电流,所述脉冲电流小于所述巨磁电阻元件自由层翻转的临界值,激光光源发出激光光束照射所述巨磁电阻元件,通脉冲电流的巨磁电阻元件受到激光光束照射其电阻发生变化,电阻的变化通过巨磁电阻元件外围的电路显示出来,从而确定发生电阻变化的巨磁电阻元件的位置信息,从而得出与激光光源位置相对应的所测对象的位移或长度。
申请公布号 CN101509752A 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200910030263.6 申请日期 2009.03.24
申请人 无锡市纳微电子有限公司 发明人 王磊
分类号 G01B7/02(2006.01)I 主分类号 G01B7/02(2006.01)I
代理机构 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 代理人 顾吉云
主权项 1、一种改良的非接触式位移测量方法,其特征在于:基板上安装有巨磁电阻元件阵列,所述巨磁电阻元件内通过脉冲电流,所述脉冲电流小于所述巨磁电阻元件自由层翻转的临界值,平行于所述基板的上方安装有可移动的激光光源,所述激光光源发出激光光束,所述激光光束照射所述巨磁电阻元件,通脉冲电流的巨磁电阻元件受到激光光束照射其电阻发生变化,电阻的变化通过巨磁电阻元件外围的电路显示出来,从而确定发生电阻变化的巨磁电阻元件的位置信息,从而得出与激光光源位置相对应的所测对象的位移或长度。
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