发明名称 |
一种改良的非接触式位移测量方法及使用该方法的传感器 |
摘要 |
本发明涉及一种改良的非接触式位移测量方法,其在工作过程中抗干扰性强,且其测量精度高,为此,本发明还提供了使用该方法的传感器。其包括基板、外围电路,其特征在于:所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列,所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道,所述轨道上安装有激光光源,所述基板连接外围电路,所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路。所述巨磁电阻元件内通过脉冲电流,所述脉冲电流小于所述巨磁电阻元件自由层翻转的临界值,激光光源发出激光光束照射所述巨磁电阻元件,通脉冲电流的巨磁电阻元件受到激光光束照射其电阻发生变化,电阻的变化通过巨磁电阻元件外围的电路显示出来,从而确定发生电阻变化的巨磁电阻元件的位置信息,从而得出与激光光源位置相对应的所测对象的位移或长度。 |
申请公布号 |
CN101509752A |
申请公布日期 |
2009.08.19 |
申请号 |
CN200910030263.6 |
申请日期 |
2009.03.24 |
申请人 |
无锡市纳微电子有限公司 |
发明人 |
王磊 |
分类号 |
G01B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01B7/02(2006.01)I |
代理机构 |
无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) |
代理人 |
顾吉云 |
主权项 |
1、一种改良的非接触式位移测量方法,其特征在于:基板上安装有巨磁电阻元件阵列,所述巨磁电阻元件内通过脉冲电流,所述脉冲电流小于所述巨磁电阻元件自由层翻转的临界值,平行于所述基板的上方安装有可移动的激光光源,所述激光光源发出激光光束,所述激光光束照射所述巨磁电阻元件,通脉冲电流的巨磁电阻元件受到激光光束照射其电阻发生变化,电阻的变化通过巨磁电阻元件外围的电路显示出来,从而确定发生电阻变化的巨磁电阻元件的位置信息,从而得出与激光光源位置相对应的所测对象的位移或长度。 |
地址 |
214028江苏省无锡市新区长江路7号 |