在浅沟槽隔离拐角处的注入

摘要

一种用于在图像传感器的浅沟槽隔离区域中制造拐角注入的方法，该方法包括步骤：在半导体衬底上在覆盖蚀刻停止层的第一硬掩模层上形成光致抗蚀剂层。该光致抗蚀剂掩模被图案化以产生开口，并且向下蚀刻第一硬掩模层暴露在开口中的部分到蚀刻停止层。第一掺杂物穿过暴露的蚀刻停止层注入到半导体衬底中。去除光致抗蚀剂掩模，并且第二硬掩模层形成在剩余的结构上并且被蚀刻以产生沿第一硬掩模层的侧边的侧壁隔离物。位于侧壁隔离物之间的蚀刻停止层和半导体衬底被蚀刻以产生沟槽，并且第二掺杂物被注入到沟槽的侧壁和底壁中。

主权项

1. 一种在半导体衬底中形成隔离区域以隔离形成在该衬底中的器件的方法，包括：通过穿过第一硬掩模层中的开口注入第一掺杂物在半导体衬底的一部分中形成浅注入；在该半导体衬底的该部分和该第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层；蚀刻第二硬掩模层以形成沿第一硬掩模层的侧面的侧壁隔离物，其中每个侧壁隔离物覆盖该半导体衬底中该浅注入的一部分；并且蚀刻进入该侧壁隔离物之间的半导体衬底中以形成隔离沟槽。