发明名称 热接口材料及其制造方法与应用该材料的电子装置
摘要 一种热接口材料及其制造方法与应用该材料的电子装置,该热接口材料包含基质组分、及分布于该基质组分中的官能化碳纳米管组分。该基质组分为有机硅高分子的粘滞性液体。该官能化碳纳米管组分包括多个分布于该基质组分中,并具有结构式(I)的官能化碳纳米管,其中,n为大于1的整数;Y为纳米级中空管状碳化合物;<img file="200810005659.0_AB_0.GIF" wi="29" he="44" />为连接在该纳米级中空管状碳化合物表面的官能团,表示OR或NR′R″,且R为C<sub>1</sub>-C<sub>27</sub>烷基,R′为氢或C<sub>1</sub>-C<sub>18</sub>烷基,R″为C<sub>1</sub>-C<sub>18</sub>烷基,借助于添加官能化碳纳米管,使该热界面材料具有高导热效果。
申请公布号 CN101508845A 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200810005659.0 申请日期 2008.02.14
申请人 苏峻苇 发明人 苏峻苇
分类号 C08L83/04(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C09J183/04(2006.01)I;C09K5/08(2006.01)I;H05K7/20(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I 主分类号 C08L83/04(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 程大军
主权项 1、一种热接口材料,其包含基质组分、及分布于该基质组分中的官能化碳纳米管组分;其特征在于:该基质组分为有机硅高分子的粘滞性液体;及该官能化碳纳米管组分包括多个分布于该基质组分中、并具有以下结构式(I)的官能化碳纳米管:其中,n为大于1的整数;Y为纳米级中空管状碳化合物;为连接在该纳米级中空管状碳化合物表面的官能团,X表示OR或NR′R″,且R为C1-C27烷基,R′为氢或C1-C18烷基,R″为C1-C18烷基。
地址 中国台湾嘉义市