发明名称 等离子体处理装置和等离子体处理方法
摘要 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100),使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31),利用透过的微波使气体等离子体化,对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度N<sub>e</sub>在临界等离子体电子密度N<sub>c</sub>以上。通过该梁(26)的突出,能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
申请公布号 CN100530532C 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200710093621.9 申请日期 2007.03.30
申请人 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 发明人 冈信介;堀口贵弘;西村和晃;北村昌幸;大见忠弘;平山昌树
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01J37/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人 龙 淳
主权项 1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:下表面开设有多个缝隙的多个波导管、使在所述多个波导管内传播并通过所述多个缝隙的微波透过的电介质、以及利用透过所述电介质的微波使气体等离子体化而对被处理体进行等离子体处理的处理室,其中,所述电介质由多个电介质零件构成,各电介质零件被配置成在由梁所支撑的状态下,使在所述多个波导管中的一个或两个以上波导管中传播并通过各波导管的一个或两个以上缝隙的微波透过,所述梁向着所述被处理体侧突出设置,使所述梁的朝向被处理体侧的端部周边的等离子体中的电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上,所述梁的朝向被处理体侧的端部周边是指在其被处理体侧上距离梁的端部几毫米以上的距离,令所述电介质零件附近的等离子体密度为N0、相邻梁之间的间隔最小值为a,则所述梁的突出位置的上限值hc可以由下述公式求出:hc=21/2×a×(lnN0-lnNc)/2π。
地址 日本东京都