发明名称 CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法
摘要 一种CMOS图像传感器的微透镜的方法,消除了相邻微透镜的弯曲之间的变平间隙。多个滤色器层形成于半导体基板上,在所述半导体基板上形成光电二极管区域、栅电极、层间绝缘层以及金属互连。在多个滤色器层上形成外敷层。在外敷层上形成微透镜。通过微透镜间的间隙所暴露的外敷层被蚀刻,以便在外敷层中的滤色器层之间的边界处形成间隙。执行流动工艺,使得微透镜的弯曲延伸到所述间隙。
申请公布号 CN100530668C 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200510132045.5 申请日期 2005.12.16
申请人 东部亚南半导体株式会社 发明人 黄俊
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 徐 谦
主权项 1.一种CMOS图像传感器的微透镜结构,具有半导体基板和所述半导体基板上的光电二极管区域、栅电极、层间绝缘层以及金属互连,所述微透镜结构包括:多个滤色器层,在所述半导体基板上;外敷图案,在所述多个滤色器层上形成;以及微透镜,在所述外敷图案上形成,其中所述微透镜被相邻地设置,并且具有预定弯曲,并且其中相邻微透镜的预定弯曲会合在所述外敷层中。
地址 韩国首尔