发明名称 |
CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法 |
摘要 |
一种CMOS图像传感器的微透镜的方法,消除了相邻微透镜的弯曲之间的变平间隙。多个滤色器层形成于半导体基板上,在所述半导体基板上形成光电二极管区域、栅电极、层间绝缘层以及金属互连。在多个滤色器层上形成外敷层。在外敷层上形成微透镜。通过微透镜间的间隙所暴露的外敷层被蚀刻,以便在外敷层中的滤色器层之间的边界处形成间隙。执行流动工艺,使得微透镜的弯曲延伸到所述间隙。 |
申请公布号 |
CN100530668C |
申请公布日期 |
2009.08.19 |
申请号 |
CN200510132045.5 |
申请日期 |
2005.12.16 |
申请人 |
东部亚南半导体株式会社 |
发明人 |
黄俊 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐 谦 |
主权项 |
1.一种CMOS图像传感器的微透镜结构,具有半导体基板和所述半导体基板上的光电二极管区域、栅电极、层间绝缘层以及金属互连,所述微透镜结构包括:多个滤色器层,在所述半导体基板上;外敷图案,在所述多个滤色器层上形成;以及微透镜,在所述外敷图案上形成,其中所述微透镜被相邻地设置,并且具有预定弯曲,并且其中相邻微透镜的预定弯曲会合在所述外敷层中。 |
地址 |
韩国首尔 |