| 发明名称 | 一种可改善化学机械研磨前薄膜均匀性的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种可改善CMP(化学机械研磨)前薄膜均匀性的工艺。通过调节HDP CVD淀积时的淀积参数，并将HDP CVD和TEOS PECVD之后的薄膜叠加，从而有效地改善了CMP之前的薄膜均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN100530563C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200510029401.0 | 申请日期 | 2005.09.02 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司 | 发明人 | 胡正军 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王 洁 |
| 主权项 | 1、一种可改善化学机械研磨前薄膜均匀性的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：1)用高密度等离子体辅助化学气相淀积二氧化硅，调整高密度等离子体辅助化学气相淀积的腔体侧壁和顶端的硅烷流量淀积参数，其中，腔体顶端的SiH4在原有的基础上减少的流量与侧壁的SiH4在原有的基础上增加的流量相等；2)以四乙基原硅酸盐为前驱体采用等离子体辅助化学气相淀积二氧化硅。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼 | ||