薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法，该薄膜晶体管栅极制造方法包括以下步骤：提供一绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的至少两层光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩余的光致抗蚀剂层的宽度自上而下递减；依序沉积多层金属层在光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面，多层金属层的厚度小于最下面光致抗蚀剂层的厚度；移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增。该薄膜晶体管栅极制造方法可以减少在薄膜晶体管栅极与栅极绝缘层间产生孔洞，提高薄膜晶体管的可靠性。

主权项

1.一种薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在于：包括以下步骤：提供一绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的至少两光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩余光致抗蚀剂层宽度自上而下递减；依序在光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面沉积多层金属层，该多层金属层的厚度小于最下面光致抗蚀剂层的厚度；移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增。