发明名称 |
反应烧结碳化硅陶瓷及其生产工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种反应烧结碳化硅陶瓷及其生产工艺,制成该陶瓷的原料包括:5~8重量份粒度为10~90μm的SiC粉、2~3重量份粒度为0.1~10μm的SiC粉、0.5~1重量份碳黑粉、0.3~0.8重量份石墨粉和0.1~0.3重量份聚乙烯醇或羧甲基纤维素液体;经包括配料制浆、注浆成型、干燥、真空烧结和去沙氧化等工序后制成碳化硅陶瓷。本发明的生产工艺成熟可靠,生产碳化硅陶瓷产品性能优良,质量稳定,其硬度、耐温、耐磨、耐腐蚀均达到了国际反应烧结碳化硅陶瓷水平,广泛应用于陶瓷窑具、脱硫喷嘴、冶金、化工等行业,并且产品的尺寸变形率<0.1%。 |
申请公布号 |
CN101508570A |
申请公布日期 |
2009.08.19 |
申请号 |
CN200910014078.8 |
申请日期 |
2009.02.06 |
申请人 |
潍坊华美精细技术陶瓷有限公司 |
发明人 |
王明峰 |
分类号 |
C04B35/573(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/573(2006.01)I |
代理机构 |
潍坊正信专利事务所 |
代理人 |
赵玉峰 |
主权项 |
1、反应烧结碳化硅陶瓷,其特征在于制成该陶瓷的原料包括:5~8重量份粒度为10~90μm的SiC粉、2~3重量份粒度为0.1~10μm的SiC粉、0.5~1重量份碳黑粉、0.3~0.8重量份石墨粉和0.1~0.3重量份的聚乙烯醇或羧甲基纤维素液体。 |
地址 |
261200山东省潍坊市坊子区北大营街3号院 |