| 发明名称 | 用于提纯低级硅材料的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于提纯低纯度硅材料并且获得较高纯度硅材料的方法和装置。所述方法包括：提供配备有氧气-燃料燃烧器的熔融装置，并且使所述低纯度硅材料在所述熔融装置中熔融，以获得较高纯度硅材料的熔体。所述熔融装置可以包括转鼓炉，并且所述低纯度硅材料的所述熔融可以在1410℃至1700℃的范围内的温度下，在氧化或还原气氛下进行。可以在熔融过程中将合成炉渣加入到熔融的材料中。所述较高纯度硅材料的熔体可以通过倾注到模中与炉渣分离，所述模具有开口顶部以及绝热底壁和侧壁。一旦在所述模中，所述较高纯度硅材料的熔体就可以经历受控的单向凝固，以获得更高纯度的固体多晶硅。 | ||
| 申请公布号 | CN101511731A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200780033182.0 | 申请日期 | 2007.09.13 |
| 申请人 | 希利贝坎库公司 | 发明人 | 多米尼克·勒布朗;勒内·布瓦韦尔 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I;C01B33/02(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;F27B7/06(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王 旭 |
| 主权项 | 1. 一种用于提纯低纯度硅材料并且获得较高纯度硅材料的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供配备有氧气-燃料燃烧器的熔融装置；和(b)使所述低纯度硅材料在所述熔融装置中熔融，并且获得较高纯度硅材料的熔体。 | ||
| 地址 | 加拿大魁北克 | ||