| 发明名称 | 提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公布了一种提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法，步骤如下：将采用PECVD双面沉积非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片放在氮气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，或在空气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，冷却后拿出。本发明采用热处理时间短、加热速度快以及更易精确控制的快速热处理工艺对沉积有非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片进行热处理，有效地提高了非晶氢化碳氮化硅薄膜的钝化性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101510576A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200910096750.2 | 申请日期 | 2009.03.16 |
| 申请人 | 浙江理工大学 | 发明人 | 席珍强;杜平凡;徐敏;姚剑 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/048(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 林怀禹 |
| 主权项 | 1、一种提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法，其特征在于：将双面沉积了非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片样品放在氮气或空气气氛下于550～850℃，热处理10～80秒。 | ||
| 地址 | 310018浙江省杭州市江干区经济技术开发区白杨街道2号大街5号 | ||