用于擦除非易失性存储器的系统和方法

摘要

根据各种实施例的系统和方法可提供非易失性半导体存储器中的全面擦除检验和缺陷检测。在一个实施例中，通过使用复数个测试条件以更好地检测一组存储元件的有缺陷和/或未充分擦除的存储元件来检验擦除所述组存储元件的结果。举例来说，可通过在将所述存储元件处在一擦除状态时将其偏压为接通的情况下在复数个方向上测试一NAND串的充电来检验擦除所述NAND串的结果。如果一存储元件串通过一第一测试过程或操作但未能通过第二测试过程或操作，那么可确定所述串未能通过所述擦除过程且可能为有缺陷的。通过在第一(380)和第二(382)方向上测试所述串的充电或导电性，根据各种实施例的系统和方法的任何晶体管中的缺陷可提供非易失性半导体存储器中的全面擦除检验和缺陷检测。在一个实施例中，通过使用复数个测试条件以更好地检测一组存储元件的有缺陷和/或未充分擦除的存储元件来检验擦除所述组存储元件的结果。举例来说，可通过在所述存储元件处在一擦除状态时将其偏压为接通的情况下在复数个方向上测试一NAND串的充电来检验擦除所述NAND串的结果。如果一存储元件串通过一第一测试过程或操作但未能通过一第二测试过程或操作，那么可确定所述串未能通过所述擦除过程且可能为有缺陷的。通过在复数个方向上测试所述串的充电或导电性，在一组条件下被掩盖的所述串的任何晶体管中的缺陷可在一第二组偏压条件下被暴露。举例来说，一串可通过一擦除检验操作但接着被读取为包括一个或一个以上被编程的存储元件。此串可为有缺陷的且被映射出存储器装置。

主权项

1.一种擦除非易失性存储器的方法，其包含：在用户操作期间擦除一组非易失性存储元件；执行擦除检验操作以确定所述组非易失性存储元件是否被擦除，所述执行擦除检验操作包括测试在通过所述组非易失性存储元件的第一方向上的导电性；读取所述组非易失性存储元件的擦除状态，所述读取所述组非易失性存储元件的擦除状态包括测试在通过所述组非易失性存储元件的第二方向上的导电性；和当所述擦除检验操作确定所述组被擦除且所述读取步骤将所述组读取为被擦除时，验证所述组被擦除。