| 发明名称 | 干蚀刻装置及方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种干蚀刻装置及方法，在干蚀刻热膨胀系数大的被加工物时，可消除因蚀刻中受到的热变形、热冲击造成的被加工物的开裂。该干蚀刻装置设置了具有凸型形状的表面的电极结构体，该凸型形状是与电极结构体的横截面为同心圆的凸型形状，该凸型形状的高度为0.2mm～1.0mm。使用该干蚀刻装置，蚀刻由热膨胀系数为30×10<sup>-7</sup>/℃以上的材料构成的被加工物。 | ||
| 申请公布号 | CN101512735A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200780033218.5 | 申请日期 | 2007.09.05 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 森川泰宏;邹红罡 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I;C03C15/00(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I;H03H3/08(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1. 一种干蚀刻装置，其特征在于：包括具有凸型形状的表面的电极结构体。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||