| 发明名称 | 超结纵向双扩散金属氧化物半导体管 | ||
| 摘要 | 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域、设在原胞区域周围的终端区域及位于原胞区域与终端区域之间的过渡区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述晶体管的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括N型柱和P型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有横向P型柱和高浓度N型区域，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区的表面设有一层高浓度的N型薄层，在N型薄层上设有场氧化层，其特征在于在N型硅掺杂半导体区内设有横向P型柱以及在晶体管终端区域的表面设有一层高浓度的N型薄层。 | ||
| 申请公布号 | CN101510561A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200910030066.4 | 申请日期 | 2009.03.30 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 钱钦松;刘侠;孙伟锋;华国环;陆生礼;时龙兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陆志斌 |
| 主权项 | 1. 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底(1)、N型掺杂硅外延层(2)、原胞区域(3)、设在原胞区域(13)周围的终端区域(5)及位于原胞区域(3)与终端区域(5)之间的过渡区域(4)，所述的N型掺杂硅外延层(2)设在N型掺杂硅衬底(1)上，原胞区域(3)和终端区域(5)设在N型掺杂硅外延层(2)上，所述晶体管的终端区域(5)包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(<u>2</u>)，其中第一超结结构包括N型柱(25)和P型柱(26)，在N型硅掺杂半导体区(<u>2</u>)中设有横向P型柱(14)和高浓度N型区域(<u>12</u>)，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(<u>2</u>)的表面设有一层高浓度的N型薄层(11)，在N型薄层(11)上设有场氧化层(<u>18</u>)，在N型重掺杂半导体区(<u>12</u>)上连接有金属层(12)，其特征在于在N型硅掺杂半导体区(<u>2</u>)内设有横向P型柱(14)以及在晶体管终端区域(5)的表面设有一层高浓度的N型薄层(11)。 | ||
| 地址 | 210096江苏省南京市四牌楼2号 | ||