单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合

摘要

用彼此反转的二个调制掺杂的晶体管结构组成的外延层结构，在单片衬底(149)上得到了闸流管以及高速晶体管和光电子器件族。借助于对赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)结构进行平面掺杂而得到这种晶体管结构。对于一种晶体管，加入了与PHEMT的调制掺杂相反的被轻掺杂层分隔开的二个相同极性的平面掺杂层。此组合被不掺杂的材料分隔于PHEMT调制掺杂。电荷层薄而重掺杂。顶部电荷层(168)得到了低的栅接触电阻，且底部电荷层(153)确定了相对于PHEMT调制掺杂层的场效应晶体管(FET)电容。对于其它的晶体管，仅仅加入了一个额外的层。

主权项

1.一种用于实现包括至少一个电子电路元件和/或至少一个光电子电路元件的至少一个电路元件的半导体器件，该电子电路元件是从包括晶体管和闸流管的组中选择的，该光电子电路元件是从包括激光发生器、光探测器、光放大器、光调制器和方向耦合器光开关的组中选择的，该半导体器件包含：生长在衬底上的一系列外延层，所述外延层包括N+型掺杂层、被至少第一外延层分隔于所述N+型掺杂层的形成p型调制掺杂量子阱的第一多个层，形成n型调制掺杂量子阱的第二多个层，所述第一多个层被至少第二外延层分隔于所述第二多个层，以及被至少第三外延层分隔于所述第二多个层的P+型掺杂层，其中所述p型调制掺杂量子阱和所述n型调制掺杂量子阱的至少一个分别限定反沟道，用于至少一个电路元件或其中所述p型调制掺杂量子阱和所述n型调制掺杂量子阱都是用于至少一个电路元件的有源区的一部分。