发明名称 | 具有微透镜的半导体装置与其制造方法 | ||
摘要 | 本发明是有关于一种半导体装置至少包括具有光感测元件形成在其上的半导体基材;设置在在基材上的第一材料层,其中此第一材料层包括一部分,此部分具有形成在基材上做为负型微透镜的大体为凹型的表面;以及设置在第一材料层上的第二材料层,其中此第二材料层包括大体为凸型的部分,此大体为凸型的部分是与前述的大体为凹型的表面相互垂直地对齐并紧密配合,此大体为凸型的部分被建构与配置来定义一微透镜,此微透镜被定位来使穿透微透镜的平行光会合并照射在光感测元件上。 | ||
申请公布号 | CN100530596C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
申请号 | CN200610003394.1 | 申请日期 | 2006.02.07 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林政贤;曾建贤;伍寿国;钱河清;杨敦年;徐宏仁 |
分类号 | H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法,其中该半导体装置至少包括一微透镜,其特征在于该半导体装置的方法至少包括:提供一半导体装置,其中该半导体装置至少包括一基材,该基材具有复数个感测元件形成在其中;形成一第一突出包含层在该半导体装置的一金属间介电层上,其中该第一突出包含层至少包括彼此相分离的复数个突出部以及一顶金属层,且该金属间介电层形成在该些感测组件上;形成一第一材料层在该第一突出包含层上,以使该第一材料层至少包括垂直地对齐于该第一突出包含层的该些突出部的彼此相分离的复数个峰点部,其中复数个凹型表面被设置在该第一材料层的该些峰点部之间;形成一第二材料层在该第一材料层上,其中该第二材料层的材料为氮化硅,且该第二材料层至少包括:彼此相分离且朝下凸出的复数个凸型部,其中每一该些凸型部定义出一微透镜,且每一该些凸型部是与该第一材料层的该些凹型表面其中一者相互垂直地对齐并紧密配合,从而使一入射光依序至少穿过该些凸型部之一、该第一材料层的该些凹型面之一以及该金属间介电层后,照射在该些感测组件之一上。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |