| 发明名称 | 氮化物系化合物半导体、化合物半导体的清洗、制造方法及基板 | ||
| 摘要 | 提供一种抑制杂质或微粒等异物附着在化合物半导体表面的清洗方法和制造方法。本发明的氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体的工序(基板准备工序(S10))、和清洗工序(S20)。在清洗工序(S20)中，基于PH值为7.1以上的清洗液对氮化物系化合物半导体进行清洗。 | ||
| 申请公布号 | CN100530556C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200610081873.5 | 申请日期 | 2006.05.17 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 八乡昭广;西浦隆幸 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体(9)的工序(S10)；和基于PH值为7.1以上的清洗液(11)，对所述氮化物系化合物半导体(9)进行清洗的清洗工序(S20)，调整清洗工序中使用的清洗液，使得在所述清洗液中含有由和氮化物系半导体相同材料构成的微粒的状态下，所述微粒的Zeta电位比零小。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||