| 发明名称 |
Integrated memory device with memory cells and buffer capacitors |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1191595(B1) |
申请公布日期 |
2009.08.19 |
| 申请号 |
EP20010120136 |
申请日期 |
2001.08.21 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
FEURLE, ROBERT;SAVIGNAC, DOMINIQUE, DR. |
| 分类号 |
G11C11/407;G11C11/401;H01L27/108;G11C11/34;H01L21/334;H01L21/8242;H01L27/06 |
主分类号 |
G11C11/407 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
