半导体存储装置及磁性随机存取存储器装置

摘要

本发明涉及一种半导体存储装置，其由流经邻近的存储单元的电流载负特征的双重性而编程，该半导体存储装置包括可编程存储单元以及至少两个电流载负结构。其中，至少两个电流载负结构中的至少一个电流载负结构包括一分割电流载负结构，该分割电流载负结构包括位于第一平面的多个第一线段，所述多个第一线段与位于第二平面的多个第二线段耦接，且第二线段的宽度大于第一线段的宽度。本发明的半导体存储装置改善了高电流互连结构，排除了因为高电流密度所导致的电子迁移作用，从而提高了可靠度。

主权项

1.一种半导体存储装置，其由流经邻近的一存储单元的电流载负特征的双重性而编程，该半导体存储装置包括：一可编程存储单元；以及至少两个电流载负结构；其中，所述电流载负结构中的至少一个电流载负结构包括一分割电流载负结构，该分割电流载负结构包括在第一平面的多个第一线段以及来自第二平面的多个第二线段，所述多个第一线段和所述多个第二线段通过位于第三平面的多个连接线段而连接；其中，该第一平面与该第二平面具有一距离。