研磨装置及研磨方法

摘要

本发明涉及研磨半导体晶片等的基板并进行平坦化的研磨装置及研磨方法。本发明涉及的研磨装置具备：研磨台(10)，具有研磨面；顶环(14)，对于基板上的第一多个区域独立地施加按压力，从而将基板按压在研磨台上；传感器(50)，检测多个计测点上的上述膜的状态；监控装置(53)，根据传感器的输出信号，对于基板上的第二多个区域的各个区域生成监控信号；存储部，存放多个基准信号，该多个基准信号表示监控信号的基准值与研磨时间的关系；控制部，操作对第一多个区域的按压力，以使与第二多个区域的各个区域对应的监控信号收敛至多个基准信号的某一个。

主权项

1、一种研磨装置，对表面上形成了膜的基板进行研磨，其特征在于，具备：研磨台，具有研磨面；顶环，对于基板上的第一多个区域独立地施加按压力，从而将基板按压在上述研磨台上；传感器，检测多个计测点上的上述膜的状态；监控装置，根据上述传感器的输出信号，对于基板上的第二多个区域的各个区域生成监控信号；存储部，存放多个基准信号，该多个基准信号表示上述监控信号的基准值与研磨时间的关系；以及控制部，操作对上述第一多个区域的按压力，以使与上述第二多个区域的各个区域对应的上述监控信号收敛至上述多个基准信号的某一个。